三星1dnm DRAM良品率未达标 或导致HBM5E推迟量产

三星1dnm DRAM良品率未达标 或导致HBM5E推迟量产

最近有消息人士透露,三星基于1dnm制程(第七代10nm级别工艺)的DRAM芯片在试产阶段良品率低于预期。三星已计划无限期推迟大规模量产,直至良品率达到既定目标。为此,三星可能会全面审查工艺流程,以进一步提升良品率。